光刻膠按顯示的效果，可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。由于負性光刻膠顯影時易變形和膨脹，分辨率通常只能達到 2 微米，因此正性光刻膠的應用更為普及。
按照應用領域，光刻膠可以劃分為半導體用光刻膠、平板顯示用光刻膠、PCB 光刻膠。隨著科技的發展，現代電子電路越發向細小化集成化方向發展，隨著對線寬的不同要求，光刻膠的配方有所不同，但應用相同，都是用于微細圖形的加工，按照應用領域，光刻膠可以劃分為半導體用光刻膠、平板顯示用光刻膠、PCB 光刻膠。
ArF 干法光刻膠和 ArF 濕法光刻膠均是晶圓制造光刻環節的關鍵工藝材料，ArF濕法光刻膠常用于更先進的技術節點。傳統的干法光刻技術中，光刻機鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣，光刻膠直接吸收光源發出的紫外輻射并發生光化學反應，但在此種光刻技術中，光刻鏡頭容易吸收部分光輻射，一定程度上降低光刻分辨率，因此 ArF 干法光刻膠主要用于 55-90nm 技術節點；而濕法光刻技術中，光刻機鏡頭與光刻膠之間的介質是高折射率的液體（如水或其他化合物液體），光刻光源發出的輻射通過該液體介質后發生折射，波長變短，進而可以提高光刻分辨率，故 ArF 濕法光刻膠常用于更先進的技術節點，如 20-45nm。
