資金層面：設備及原料購價高昂。設備方面，目前全球光刻機核心技術處于高度壟斷狀態，只有荷蘭 ASML 公司可以制造 EUV 光刻機，具有高議價權，單臺設備售價超過 1 億歐元，且價格呈現逐年上升趨勢，ASML 每新出一款 EUV 光刻機，其性能更加優異；技術水平稍低的 DUV 光刻機，售價也在 2000-7000 萬美元之間。原料端，國產化率不到 10%，國產產品中，光刻膠樹脂單價約為 1-4 萬元/噸；光引發劑是光刻膠合成的重要性原料，雖用量占比僅不到 1%，但價格高昂，尤其是 LCD 光引發劑單噸價格在 200萬元以上，主要是有兩方面原因：①彩色光刻膠和黑色光刻膠含有顏料，具有遮光性，因此光引發劑需要具有高感光度，技術要求更高；②寡頭壟斷格局，巴斯夫在國內具有高定價權。溶劑常用材料為丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA 或 PMA），2020 年均價近 1 萬元/噸。這種投資規模大，產品驗證周期長的特點,導致光刻膠產業投入回報率低且短期經濟效應不顯著。
客戶層面：光刻膠制造具有很高的個性化定制要求，從提供產品測試到取得大規模量產訂單需要 1-3 年。光刻膠定制化程度高，生產企業與下游客戶需要經過相當長的產品檢測、驗證過程一般是 1-3 年,才能批量供貨，取得驗證后，需要進行參數和工藝反復修改才可獲取客戶批量訂單，為保持光刻膠供應和效果穩定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關系后，就不會輕易更換。
光刻膠按照化學反應原理不同，可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。正性光刻膠為交聯結構，曝光后，曝光部分溶于顯影液，未曝光部分顯影后留存；負性光刻膠，曝光后發生交聯反應，曝光部分形成交聯結構，不可溶解并硬化，留存在基底表面生成圖形，未曝光部分溶解。正性光刻膠的分辨率和對比度較高，適用于更小圖形尺寸，目前高端市場光刻膠以正性為主，如 KrF, ArF, EUV 和 TFT 正性光刻膠；負性光刻膠具有良好的粘附能力和抗刻蝕能力，因其具有更優的感光性，要求添加的感光劑更少，成本更低，適用于低成本、高容量的芯片。
