光刻膠是光刻時用于接收圖像的介質：光刻膠是一種有機化合物，受特定波長光線曝光作用后其化學結構改變，在顯影液中的溶解度會發生變化，因此又稱光致抗蝕劑。正膠在曝光后發生光化學反應，可以被顯影液溶解，留下的薄膜圖形與掩膜版相同；而負膠經過曝光后變成不可溶物質，非曝光部分被溶解，獲得的圖形與掩膜版相反。
光刻技術是半導體制造的關鍵環節：光刻技術用于電路圖形生成和復制，是半導體制造最為關鍵的技術。光刻技術的進步是集成電路技術遵循摩爾定律更新的重要技術先導，其先進程度決定了半導體制造技術水平的高低。光刻工藝貫穿半導體器件和集成電路制造工藝始終，當代超大規模集成電路制作需要幾十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小線條尺寸是集成電路發展水平的標志。
光刻膠應用分類：光刻膠按照下游應用領域劃分，主要可分為PCB、面板、半導體三類，每一類光刻膠又有各自細分品類。其中半導體光刻膠技術門檻最高，按照光源波長的從大到小，可分為紫外寬譜(300-450nm)、g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品類，每一種品類的組分、適用的IC制程技術節點也不盡相同。
