光刻膠本質是一種感光材料，也稱光致抗蝕劑，主要用于微電子技術中微細圖形加工。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等照射或輻射下，光刻膠溶解度會發生變化，再經適當溶劑溶去可溶性部分，便可實現圖形從掩模版到待加工基片上的轉移。進一步，未溶解部分光刻膠作為保護層，在刻蝕步驟中保護其下方材料不被刻蝕，從而完成電路制作。
產品分類上，按照下游應用領域，光刻膠可分為 IC 光刻膠、PCB 光刻膠、LCD光刻膠。IC 光刻膠根據曝光波長又可分 g 線光刻膠(436nm)、i 線光刻膠(365nm)、KrF 光刻膠(248nm)、ArF 光刻膠(193nm)、EUV 光刻膠(13.5nm)等，通常情況下曝光波長越短，分辨率越佳，適用 IC 制程工藝越先進。按照化學反應原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。正性光刻膠曝光部分在顯影液中溶解，負性光刻膠未曝光部分在顯影液中溶解。由于負性光刻膠顯影時易變形和膨脹，自1970s 以后正性光刻膠逐漸成為主流。
全球電子產業制造東移，光刻膠作為關鍵耗材需求景氣。在世界電子產業分工協作的大背景下，我國大陸憑借勞動力成本和終端市場需求等優勢逐漸成為全球最大的電子信息產品制造基地，半導體、PCB、面板產能增長迅速，由此帶來上游材料光刻膠市場需求同步快速增加。根據 Research And Markets 和 Cision 預測數據，2020-2026 年，全球光刻膠市場規模將從 87 億美元增長至 120 億美元以上，復合增長率約 6%，中國大陸光刻膠市場規模將從 84 億元增長至 140 億元以上。復合增長率約 10%，增速更快。
