氮化鎵材料性能優異，應用市場廣泛。氮化鎵（GaN）可同時涵蓋射頻和功率領域，特別是在高功率和高頻率領域應用效果特別出色，與其他化合物半導體材料相比，具有較高投資價值。?以氮化鎵為材料的功率半導體器件可廣泛應用于工業、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等傳統產業領域。
氮化鎵將成為5G射頻器件的主要材料。根據業內公司發布的實驗數據顯示：使用GaN制作的功放產品的輸出功率和效率都顯著優于其他材料（GaAs、LDMOS）制作的功放產品；頻率響應曲線的平坦持續范圍最寬。正是由于GaN優秀的材料特質，毫米波、MassiveMIMO、波束合成以及載波聚合等5G移動通信中使用到的核心基礎技術最后都將使用GaN材料制作功率放大器產品。
GaN材料在射頻產品的滲透率將逐步提升。射頻器件材料主要有三種：GaAs ，基于 Si 的 LDMOS以及GaN 。GaAs器件的缺點是器件功率較低，低于50W；LDMOS 器件的缺點是工作頻率存在極限，最高有效頻率在3GHz以下；GaN彌補了GaAs和Si基LDMOS兩種老式技術之間的缺陷，在體現 GaAs 高頻性能的同時，結合了Si基LDMOS的功率處理能力。隨著GaN材料工藝的成熟和成本的下降，GaN在射頻市場的滲透率將提升，預計到2025年將達到50%左右。
