金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管，由P極、N極、G柵極、S源極和D漏極組成。
MOSFET目前正朝著制程縮小、技術變化、工藝進步和材料迭代發展。功率MOSFET是70年代在經典MOSFET的基礎上發展起來，其生產工藝制程從早期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程，由于功率MOSFET更需要功率處理能力而非運算速度，因此制程縮小的演進在2000年左右基本終結。
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼具MOSFET和GTR的優點。
