集成電路（integrated circuit）是采用多種工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，實現所需電路功能的微型結構。現代集成電路按功能劃分，主要可以分為存儲器，處理器，邏輯 IC，模擬 IC 四大類。
傳統封裝（后道）測試工藝可以大致分為背面減薄、晶圓切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型和終測等 8 個主要步驟。與前道晶圓制造相比，后道封裝相對簡單，對工藝環境、設備和材料的要求較低。前道晶圓制造的復雜程度要遠超后道封裝，主要涉及光刻，刻蝕，薄膜沉積，顯影涂膠，清洗，摻雜氧化擴散，量測等工藝。其中刻蝕與光刻及薄膜沉積一起，并列為晶圓制造最重要的三大工藝之一。
集成電路的構造并非簡單的平面圖形，而是一層層構造疊加起的立體結構。其中，刻蝕作為核心工藝之一的作用，是通過物理及化學的方法，在晶圓表面的襯底及其他材料上，雕刻出集成電路所需的立體微觀結構，將前道掩模上的圖形轉移到晶圓表面。在刻蝕新形成的結構上，可以進行??????2、SiN 介質薄膜沉積或金屬 Al，Cu，W 薄膜沉積，也可以進行多重曝光或下一刻蝕步驟，最終在各個層形成正確圖形，并使得不同層級之間適當連通，形成完整的集成電路。
