靶材是在濺射過程中被高速金屬等離子體流轟擊的目標材料，是制備功能薄膜的原材料，又稱“濺射靶材”，純度為99.95%以上，更換不同靶材可得到不同的膜系，實現導電或阻擋等功能。當前靶材發展趨勢是高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、以及高純金屬。
就鍍膜而言，主要工藝有物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。1）PVD 技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣泛。PVD 技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強，清洗過程簡化，但在高功率下影響鍍膜質量。不同方法的選擇主要取決于產品用途與應用場景。2）CVD 技術主要通過化學反應生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質引入反應室，在襯底表面上進行化學反應生成薄膜。
政策支持靶材實現國產替代。國家相繼大力發展面板和半導體行業，出現了以京東方為代表的的面板和以中芯國際為代表的芯片廠商，多條高世代線和大尺寸產線在建，面板和半導體產業向大陸轉移。但產業鏈上游配套材料仍主要由以日本為代表的國際巨頭企業為主，當下美國持續升級對中國科技發展的限制，相關電子化學品的國產替代迫在眉睫。為解決“卡脖子”問題，我國自2006年在《國家中長期科學與技術發展規劃綱要》中就已經確定了要大力發展核心電子器件及高性能材料，靶材支持相關政策不斷涌現。
