作為第三代半導體材料的代表，SiC 具有大禁帶寬度、高擊穿電場強度、高飽和漂移速度和高熱導率等優良特性。SiC 的禁帶寬度（2.3-3.3eV）約是 Si 的 3 倍，擊穿電場強度（0.8 × 106??/????-3 × 106??/????）約是 Si 的 10倍，熱導率（490W/(m·K)）約是 Si 的 3.2 倍，可以滿足高溫、高功率、高壓、高頻等多種應用場景。
碳化硅襯底企業發展主要掣肘為工藝難點及價格，其中工藝為核心要素，工藝控制的改善也將有效改善生產成本，縮小與 Si IGBT 之間的價差后帶動產業鏈整體放量。長晶環節是關鍵，碳化硅需要在高溫、真空環境中生長，對溫場穩定性的要求高，其生長速度相比硅材料有數量級的差異；此外，碳化硅存在 200 多種同質異構體，在密閉的高溫石墨坩堝中生長，無法即時觀察晶體的生長狀況，容易產生位錯及異質晶型，影響良率。器件環節，由于碳化硅材料同時存在硅與碳兩種原子，因此需要特殊的柵介質生長方法，柵氧質量將直接影響溝道和柵極的可靠性，離子注入環節也容易降低性能及功率效率。
價格層面，22H1 產品價格繼續回落，價差進一步縮小。價格方面，2022 年上半年 SiC、GaN 晶體管的均價較2021 年底有所下降。根據 Mouser 數據，SiC MOSFET 方面，650V、900V、1200V、1700V 的產品均價分別為 1.88 元/A、2.94 元/A、2.88 元/A、5.78 元/A；較 2021 年底分別下降了-7.13%、56.49%、-7.25%、-5.33%，基本回到 2020 年底價格水平。
