第三代半導體性能突出，高功率、高頻高壓高溫場景優勢明顯。以碳化硅、氮化鎵為代表的新一代寬禁帶半導體材料，相較于傳統的硅基半導體，禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，可以在減少能量損失的同時極大地降低材料使用體積。在高頻、高壓、高溫等工作場景中，第三代半導體材料具有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優勢。
新能源產業推動需求爆發，第三代半導體材料迎來發展良機。隨著第一、二代半導體材料工藝接近物理極限，第三代半導體材料成為產業發展的重要方向。第三代半導體材料廣泛應用在 5G 基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通等“新基建”各領域核心射頻、功率器件中，產業迎來巨大的發展機遇，根據 Yole 數據顯示，預計到 2023 年，全球碳化硅材料滲透率有望達到 3.75%，預計到 2025 年，SiC 器件市場規模將達到 32 億美元，年均復合增長率超 30%。
技術產業化路徑明確，襯底和外延占據主要價值。碳化硅產業鏈分為襯底、外延、器件和應用四部分。其中，襯底、外延、前段、研發費用和其他分別在碳化硅器件制造成本中占比 47%，23%，19%，6%，5%。目前主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生長出碳化硅晶體。以碳化硅晶片為襯底，使用化學氣相沉積法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，可制成功率器件，主要應用于電動車、光伏等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，可進一步制成射頻器件，應用于 5G 通訊等領域。
