第三代半導體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩定運行，適用于高電壓、高頻率場景，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運行能力。
羅姆通過輸入WLTC（全球統一輕型車輛測試循環）行駛循環的模擬行駛試驗條件，對逆變器進行了采用第四代SiC MOSFET和IGBT的行駛電費試驗。結果顯示，采用SiC MOSFET總電費比IGBT改善6%，市區模式改善10%。改善電力消耗也意味著，維持行車距離不變的情況下可以降低電池電容。
碳化硅襯底主要有2大類型：半絕緣型和導電型。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為4 英寸。在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為 6 英寸。
