汽車的續航能力、動力性能和充能時間的決定性因素是其儲能（及配套動力）系統的本質理化屬性。這已為長逾百年的汽車進化史所證實。燃油汽車儲能及配套動力系統主要為油箱、發動機。新能源汽車儲能及動力系統（并含帶有高壓電的部件，耐壓程度有 650V、900V、1200V 等不同等級）包括動力電池，驅動電機，高壓配電箱（PDU），電動壓縮機，DC/DC，OBC，PTC，高壓線束等，這些部件組成了整車的高壓系統，其中動力電池，驅動電機，控制系統為純電動汽車上的三大核心部件。
對于半導體器件而言，其關鍵性質是在一定溫度區間內，電導率可以通過摻雜手段加以控制。對于電中性的 IV 主族、III-V 主族半導體等而言，進行 V 主族元素摻雜，會增加電子作為多數載流子，形成施主能級，并獲得 N 型半導體；進行 III 主族元素摻雜，會增加空穴作為多數載流子，形成受主能級，并獲得 P 型半導體。
目前生長碳化硅單晶最成熟的方法是物理氣相輸運（PVT）法，其生長機理是：在超過 2000 ℃高溫下將碳粉和硅粉升華分解成為 Si 原子、Si2C 分子和 SiC2 等氣相組分；在溫度梯度的驅動下，這些氣相物質被輸運到溫度較低的碳化硅籽晶上形成較厚的晶錠（上述過程俗稱拉單晶，但并非以提拉法制取材料）。
