SiC 具有優秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，并和氮化鎵（GaN）都具有寬禁帶的特性，被稱為第三代半導體材料。由于 SiC 具有寬禁帶寬度，從而導致其有高擊穿電場強度等材料特性。受益于 SiC 的材料特性，SiC 功率器件具有耐高壓、體積小、功耗低、耐高溫等優勢。
SiC 器件適用于高壓、高頻應用場景。功率器件可以按照設計結構分為二極管、MOSFET、IGBT 等，也可以按照產品并聯形態分為單管或者模組，還可以按照襯底材料分為硅基、SiC、GaN功率器件。對比來看，SiC 器件和 IGBT 都可以在 650V 以上的高壓下工作，但 SiC 器件能承受的頻率更高。根據感抗和容抗公式，相同感抗、容抗下，電路頻率提升，電容和電感值可以下降，即可以使用更小體積的電容和電感。SiC 器件需要的被動元器件數量和體積就更小，從而減小了整個系統的體積。
全球 SiC 從 6英寸往 8英寸發展，有望帶動芯片單價下降。正如硅片晶圓從8 英寸往 12 英寸發展，目前 SiC 晶圓也正在從 6 英寸往 8 英寸發展。更大的晶圓尺寸可以帶來單片芯片數量的提升、提高產出率，以及降低邊緣芯片的比例，從而提升晶圓利用率。例如，Wolfspeed 統計，6 英寸 SiC 晶圓中邊緣芯片占比有14%，而到 8 英寸中占比降低到 7%。隨著全球 SiC 晶圓的尺寸擴大，預計將帶動 SiC 芯片單價降低，從而打開應用市場。
