功率半導體是電力電子裝置實現電能轉換、電路控制的核心器件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。
早期開發的功率分立器件 二極管、三極管、晶閘管，在結構上都由簡單的PN結組成，開關速度慢，常用于低頻領域。二極管：僅單向導通，是最常見的功率分立器件；晶閘管：可正向觸發導通，具備開關特性；三極管：依靠小電流控制開關通斷，有線性放大功能。
目前主流功率器件為MOSFET和IGBT，MOSFET開關頻率高，更適用于高頻中高壓領域（100-1000KHz,20-1200V），IGBT耐壓很高，更適用于高壓中低頻領域（＜100KHz, 600-6500V）。MOSFET具有開關速度快的優點，但高耐壓下導通電阻會很高。IGBT作為MOSFET+BJT結構的復合型器件，相比MOSFET：(1)串聯結構耐壓更高，導通電阻低，(2) 能放大電流，(3)但拖尾電流使其開關頻率更低。
