定義：碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是第三代半導體材料，因具備寬禁帶特性，也被稱為寬禁帶半導體材料。
優勢：SiC材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特性,以SiC材料制成的半導體器件相比硅基器件具有耐高壓、耐高溫、功耗低、體積小、重量輕等優勢。
器件：SiC器件主要分為功率器件和微波射頻器件，分別由同質外延片和異質外延片加工而成，其中功率器件主要包含SiC二極管、SiC晶體管（SiC-MOSFET/SiC-BJT/SiC-IGBT等），主要用于高溫、高壓場景，下游應用涵蓋新能源汽車、光伏發電等領域。微波射頻器件主要包含HEMT等，主要用于高頻、高溫場景，下游應用涵蓋5G通訊、衛星、雷達等領域。
