SiC 在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優勢。耐高壓方面，SiC 阻抗更低，禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更好效率；耐高頻方面，SiC 不存在電流拖尾現象，能夠提高元件的開關速度，是硅（Si）開關速度的 3-10 倍，從而適用于更高頻率和更快的開關速度；耐高溫方面，SiC 擁有非常高的導熱率，相較硅（Si）來講，能在更高的溫度下工作。因此，SiC 能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求，有望成為未來最被廣泛使用的半導體芯片基礎材料。
半絕緣型 SiC 襯底市場增長迅速，6 英寸晶片成為發展趨勢。受益于 5G 基建加快布局和全球地緣政治動蕩，半絕緣型 SiC 襯底市場增長空間巨大。根據 Yole 數據，2020 年全球半絕緣型 SiC襯底市場規模為 1.8 億美元，較 2019 年同比增長 18%。此外，根據中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟數據，2020 年全球 4 英寸半絕緣型 SiC 晶片的市場需求約 4 萬片，6 英寸約 5 萬片，兩者需求占比不相上下；預計到 2025 年，4 英寸市場需求將減少至 2 萬片，6 英寸成為發展趨勢。
SiC 主流大廠正陸續推出 8 英寸晶圓片。當前，全球市場上 6 英寸 SiC 襯底已實現商業化，主流大廠也陸續開始推出 8 英寸樣品。SiC 晶圓尺寸的擴大不僅可以降低生產成本，而且有利于保持晶圓幾何形狀，減少邊緣翹曲，提升晶圓生產的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圓樣品的制樣，意法半導體在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圓片。預計 2023 年開始，各大廠商將逐漸量產 8 英寸襯底，并繼續提高外延和器件方面產能及良品率。隨著 6 英寸襯底、外延晶片質量提高，8 英寸產線實現規模化生產，SiC 器件和模塊逐漸普及為電動汽車主流配置，規模效應增大，成本可得到有效降低。
