IGBT被稱為電力電子行業的“CPU”。IGBT具有優秀的綜合性能。IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極管兩個部分組成，其兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快和BJT通態電流大、導通壓降低、損耗小等優點，是功率半導體未來主要的發展方向之一。
憑借優異的性能，IGBT擁有廣泛的下游應用。IGBT憑借著高功率密度、驅動電路簡單以及寬安全工作區等特點，成為了中大功率、中低頻率電力電子設備的首選。在工作頻率低于105Hz的范圍內，硅基IGBT是首選的功率半導體器件，其功率范圍涵蓋幾千瓦至十兆瓦，典型的應用領域包括工業控制（變頻器、逆變焊機、不間斷電源等）；新能源汽車（主電驅、OBC、空調、轉向等）；新能源發電（光伏逆變器、風電變流器）；變頻白電（IPM）；軌道交通（牽引變流器）；智能電網等。
IGBT的結構和工作原理。IGBT的驅動原理與MOS相同，由柵極電壓控制。導通：當IGBT的柵極接到正電壓，在氧化層下面的P區建立反型導電溝道，為電子從發射極到N區提供導電通路，此時IGBT導通。關斷：當柵極電壓為零或者反向時，MOS內的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，此時IGBT關斷。IGBT關斷有兩個階段，第一階段是關斷反型溝道，電流迅速下降，第二階段為晶體管關斷，持續時間較長，導致IGBT存在拖尾電流。
