國內廠商成功研制 8 英寸碳化硅襯底，實現技術突破。新能源汽車行業銷量持續超預期，用戶對充電時間、續航里程、動力性能等指標的要求越來越高，碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，基于碳化硅的解決方案可使系統效率更高、重量更輕，且結構更緊湊，是解決新能源汽車 800V 高壓快充等一系列行業難題的關鍵技術。
光伏方面， 根據能源局月度調度數據顯示，2022 年 1 月全國新增光伏裝機容量 7.38GW，同比增長 212%，其中分布式新增約 4.69GW，同比增加 252%，集中式新增裝機量 2.68GW，同比增加 160%。中國光伏行業協會名譽董事長王勃華于 2 月 23 日“光伏行業 2021 年發展回顧與 2022 年形勢展望線上研討會”中表示，2021 年我國光伏新增裝機量 54.88GW，同比增長 13.9%，其中分布式新增 29.28GW，占比歷史上首次突破 50%達到 53.4%，在國內巨大的光伏發電項目儲備量推動下，預計 2022 年我國光伏新增裝機量將達到 75-90GW，2022-2025 年我國年均新增光伏裝機量將達到 83-99GW，到 2025 年我國光伏新增裝機量將提升至 90-110GW，而全球 2022-2025 年光伏年均新增裝機將達到 232-286GW，到 2025年有望達到 270-330GW。在政策大力支持下，發展日新月異的光伏產業將帶動對半導體功率器件的需求。據 Yole 預測，IGBT 市場規模將由 2020 年 54 億美元增長至 2026 年的 84億美元，年均復合增長率達到 7.5%，IGBT 市場景氣度持續向上。
根據第三代半導體風向，3 月 2 日，瑞士電動汽車 Kincsem 宣布推出混合動力車型 KincsemHyper-GT，其逆變器有可能采用碳化硅方案。據第三代半導體風向報道，日本和中國的部分車企也已經開始使用碳化硅技術，如豐田新款燃料電池汽車MIRAI采用了SiC升壓功率模塊；據第三代半導體風向報道，中車電動的碳化硅變換器獲得了上汽捷氫 400 套碳化硅訂單；據第三代半導體風向報道，致瞻科技的燃料電池汽車全碳化硅控制器采用了 Wolfspeed1200V SiC MOSFET 等。下游需求旺盛驅動碳化硅廠商布局，2 月 28 日，上海鼎泰匠芯科技有限公司官微介紹 12 英寸車規級功率半導體自動化晶圓制造中心項目 FAB 主廠房封頂，項目于 2021 年 1 月開啟，總投資 120 億元，占地 198 畝，可實現年產 36 萬片 12 英寸功率器件，從 Fab 開工建設到整體澆注封頂，歷時僅 14 個月，據第三代半導體風向報道，青島高新區舉辦 2022 年春季重點項目建設啟動儀式，其中華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目投資 7 億元，建筑面積 5.4 萬平方米，產能 33 萬片。各地也加大投資氮化鎵項目。根據綿陽日報報道，嘉力氮化鎵晶圓項目落戶綿陽高新區，投資 40 億元；據第三代半導體風向報道，2 月 16 日，“江西省市縣三級項目協同聯動開工”暨 2022 年“項目大會戰”動員大會舉行，其中包括小米生產基地——笠德百億工業園項目，項目總投資 103 億元，占地面積 400 畝，分三期建設，二期計劃投資 25 億元建設 6 英寸硅基氮化鎵晶圓項目。
