CMP是芯片制造關鍵技術，芯片制程的先進化推動拋光次數成倍增長。根據不同工藝制程和技術節點的要求，每一片晶圓在生產過程中都會經歷幾道甚至幾十道的拋光工藝步驟，CMP拋光工藝主要用于硅片及硅片以上金屬層、層間介質層（ILD）和其他結構的表面平坦化。
晶圓硅片平坦化：在集成電路生產中，最小特征尺寸小于0.35μm芯片的硅片表面必須進行全局平坦化，否則會對刻蝕的精確度和效率產生影響，導致接觸不良，漏電，電子轉移等問題。CMP是目前唯一能實現全局平坦化的技術（其他技術只能做到局部平坦化）。
金屬層、層間介質層（ILD）及其他結構平坦化：芯片工藝的先進化帶來金屬層、介質層等結構數量的增加，進而帶來拋光次數的增加。130nm制程芯片只有六層金屬層，而5nm制程芯片至少有14層金屬層，每層金屬之間沉積有一層層間介質層（ILD），隔離上下兩層金屬，最底部層間介質層（IDL）以下還可能存在鎢塞、淺槽隔離層(STI)、硅通孔（TSV）等結構。這些金屬層、層間介質層和其他結構表面都需CMP處理。根據杜邦數據，7nm以下邏輯芯片中，CMP拋光步驟約三十步，最先進芯片可達四十二步。
