全球半導體資本開支自 2019 年起底部回升，未來有望進入加速投資階段。據 IC Insights 預測，2020 年半導體資本支出為 1080 億美元，同比增長 5.46%，2021 年將達到 1156 億美元，同比增長 6.9%，由于疫情加速全球數字化轉型疊加缺芯事件，引發晶圓廠投資建設加速，2020 年半導體資本開支超過 2018 年達到了歷史最高點，至 2023 年全球半導體資本開支將上升至 1280 億美元。根據 2021 年臺積電 4 月召開的法說會，公司 2020 年資本開支為 172.4億美元，預計 2021 年資本開支將上調至 300 億美元，其中，80%的資本開支將用于先進制程（7nm、5nm 及 3nm）；三星則預計 2021 年增加資本支出 20%-30%用于存儲及晶圓代工廠建設，全年資本開支將達 35 兆韓元（約合 296 億美元）。
前道量檢測設備注重過程工藝監控，幾乎運用在每一道制造工序中。根據功能的不同分為兩種設備：一是量測類，二是缺陷檢測類。（1）量測類設備：主要用來測量透明薄膜厚度、不透明薄膜厚度、膜應力、摻雜濃度、關鍵尺寸、套準精度等指標，對應的設備分為橢偏儀、四探針、原子力顯微鏡、CD-SEM、OCD-SEM、薄膜量測等。（2）缺陷檢測類設備：用來檢測晶圓表面的缺陷，分為明/暗場光學圖形圖片缺陷檢測設備、無圖形表面檢測設備、宏觀缺陷檢測設備等。
薄膜材料的厚度和物理常數量測設備：在半導體制造過程中，晶圓要進行多次各種材質的薄膜沉積，因此薄膜的厚度及其性質（如折射率和消光系數）需要準確地確定，以確保每一道工藝均滿足設計規格。膜厚測量可以根據薄膜材料劃分為兩個基本類型，即不透明薄膜（金屬類）和透明薄膜。測量不透明薄膜厚度的方法通常是通過測量方塊電阻，通過其電阻與橫截面積得到其膜厚，采用的設備一般為四探針臺，將四根探針等距離放臵，通過對最外兩根探針施加電流，從而測量其電勢差，計算被測薄膜的方塊電阻。目前市場主要供應商為 KLA（Omni Map 系列）。
