光刻膠又稱光致抗蝕劑，是光刻工藝的關鍵化學品，主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發劑及添加助劑四類。其中，樹脂約占 50%，單體約占 35%。
以半導體行業為例，光刻膠主要用于半導體圖形化工藝。圖形化工藝是半導體制造過程中的核心工藝。圖形化可以簡單理解為將設計的圖像從掩模版轉移到晶圓表面合適的位置。一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實現了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉移，流程一般分為十步：1.表面準備，2.涂膠，3.軟烘焙，4.對準和曝光，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.最終檢查。
光刻膠按顯示的效果，可分為正性光刻膠和負性光刻膠，如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。
