砷化鎵（GaAs）是當前最重要、技術成熟度最高的化合物半導體材料之一。GaAs 材料具備禁帶寬度大、電子遷移率高的特性，且為直接帶隙，發光效率高，是當前光電子領域應用的最主要材料，同時也是重要的微電子材料。根據導電性能的差異，GaAs 材料可分為半絕緣（SI）GaAs 和半導體（SC）GaAs。
射頻為當前 GaAs 材料應用的最主要下游。從 2017 年 GaAs 襯底的出貨量數據來看，四大主要應用領域中，射頻、LED、激光和光伏市場占比分別為 46.52%、42.19%、10.17%和 1.12%，射頻和 LED 是 GaAs 襯底應用的最主要市場。
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，相較于前兩代半導體材料，禁帶寬度更寬，具有更高的臨界擊穿電場，更大的飽和電子速率和更小的介電常數，能夠承受更高的工作電壓，適合更高頻率，可實現更高的功率密度，同時耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等性能優異，在多項性能上能夠實現對第二代半導體材料（GaAs、InP 等）性能極限的突破。
