光刻膠主要用于半導體、面板、PCB 的光刻步驟。光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發生變化，經適當溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。
光刻膠主要由高分子材料組成，電子領域應用廣泛。光刻膠一般由 4 部分組成：溶劑（solvent），樹脂型聚合物（resin/polymer），光引發劑（photoactive compound，PAC）,添加劑（Additive）。隨著科技的發展，現代電子電路越發向細小化集成化方向發展，隨著對線寬的不同要求，光刻膠的配方有所不同，但應用相同，都是用于微細圖形的加工，按照不同的下游行業主要分為 PCB 光刻膠、面板光刻膠、半導體光刻膠。
IC 光刻膠：光刻膠頂峰，用于形成集成電路基礎器件與連接電路。隨著 IC 集成度水平的提高，光刻技術不斷向前發展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體光刻膠通過不斷縮短曝光波長的方式，不斷提高極限分辨率。目前，世界芯片工藝水平已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至 g 線（436nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進的 EUV(<13.5nm)線水平。其中，g 線和 i 線光刻膠的市場份額最大。隨著未來功率半導體、傳感器、LED 市場的持續擴大，i 線光刻膠市場將持續增長，而精細化需求的增加將推動 KrF 光刻膠的增長并逐漸替代 i 線光刻膠。ArF 光刻膠對應的 IC 制程節點最為先進，且隨著雙/多重曝光技術的使用，ArF 光刻膠的市場將快速成長。目前，KrF 和 ArF 光刻膠的核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。
