光刻工藝是指光刻膠在光照作用下，將掩模版上的圖形轉移到硅片上的技術。光刻的原理起源于印刷技術中的照相制版，是在一個平面上加工形成微圖形。在半導體芯片制作過程中，電路設計圖首先通過激光寫在光掩模版上，然后光源通過掩模版照射到附有光刻膠的硅片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學效應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域，使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術將圖形轉移到硅片上。
光刻根據所采用正膠與負膠之分，劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。在正性光刻中，正膠的曝光部分結構被破壞，被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。相反地，在負性光刻中，負膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解，掩模部分則會被溶劑洗掉，
光刻工藝定義了半導體器件的尺寸，是 IC 制造中的關鍵環節。作為芯片生產流程中最復雜、最關鍵的步驟，光刻工藝難度最大，耗時最長，芯片在生產過程中一般需要進行 20~30次光刻，耗費時間約占整個硅片工藝的 40～60%，成本極高，約為整個硅片制造工藝的 1/3。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。
