發展方向：小型化、低功耗、低成本、高性能、系統化、智能化。特征尺寸（摩斯管的溝道長度）越來越小；芯片尺寸越來越大；單片晶體管數越來越多；時鐘速度越來越快；電源電壓越來越低；布線層數越來越多；引腳越來越多。
IC上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍，成本減半。后摩爾定律時代：MOSFET，FinFET/FD-SOI，從材料、結構、制程上突破。
電子產品生命周期較短（手機2年更換一代），從設計到生產周期較長：設計：1年；生產：1年到2年，因此需要提前判斷需求，準備庫存，需求周期+技術周期+庫存周期。
