碳化硅（Silicone Carbide, SiC）是第三代半導體材料。與前兩代半導體材料相比，SiC 有著良好的耐熱性、導熱性和耐高壓性。由 SiC 制成的器件，具有高效率、開關速度快等性能優勢，能大幅降低產品能耗、提升能量轉換效率并縮小產品體積，是制造高壓功率器件的理想材料。
SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍，保證了 SiC 器件在高溫條件下的工作穩定性，減少因高溫造成的器件故障現象。理論上一般硅片的極限工作溫度為300°C，而 SiC 器件的極限工作溫度可達600°C以上。同時，由于 SiC 的熱導率比硅更高，在相同的輸出功率下 SiC 能保持更低的器件溫度，因此對散熱設計要求更低，有助于實現設備的小型化。
高壓穩定性 & 熱穩定性：一般來說 Si MOSFETs 的正常工作電壓可以達到 900v。而由 SiC 制成的器件，最大工作電壓能輕松超過1700v，且能保持極低的漂移層電阻，減少能量損耗。同時，SiMOSFETs 在溫度升高至150 °C時，漂移層電阻將會提高1倍，而 SiC MOSFETs 在同等條件下漂移層電阻仍能保持較好的穩定性，電阻提升幅度遠小于 Si MOSFETs。
