相較半導體設計、封測環節，晶圓制造是中國大陸當前半導體行業短板，自主可控驅動本土晶圓廠逆周期大規模擴產。據SEMI數據，2021-2022年全球新增晶圓廠29座中，中國大陸新增8座，占比達到27.59%。然而，中國大陸市場晶圓產能缺口依舊較大，2021年底晶圓全球產能占比僅為16%（包含臺積電、海力士、三星等外資企業在本土的晶圓產能），遠低于半導體銷售額全球占比（2021年約35%）。在自主可控驅動下，本土晶圓廠具備較強逆周期擴產訴求。
根據應用場景的不同，量/檢測設備主要分為量測、檢測兩大類，其中檢測設備占比高達63%。1）檢測設備：主要用于檢測晶圓結構中是否出現異質情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等特征性結構缺陷；2）量測設備：指對被觀測的晶圓電路上的結構尺寸和材料特性做出量化描述，如薄膜厚度、關鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理參數的測量。
按照技術原理劃分，量/檢測設備可分為光學、電子束、X光三大類，其中光學占比高達75%。1）光學：對晶圓破壞性小，同時具備批量、快速檢測的優點，廣泛應用于晶圓表面雜質顆粒、圖案缺陷等檢測，以及膜厚、關鍵尺寸、套刻精度、表面形貌等測量；2）電子束：精度高于光學技術，但是速度較慢，適用于部分核心工藝的抽檢；3）X光：穿透力強、無損探測，適用于超薄薄膜測量、特定金屬成分檢測等少數特殊場景。
