III-V族半導體材料：III-V族半導體材料是化學元素周期表中的IIIA族元素硼、 鋁、鎵、銦、鉈和VA族元素氮、磷、砷、銻、鉍組成的化合物。代表半導體材料為：砷化鎵 GaAs、磷化銦InP。
磷化銦襯底：Indium Phosphide，磷和銦的化合物，其具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度高等諸多優點，被廣泛應用于光通信、光電器件、高頻毫米波器件、光電集成電路集成激光器、光探測器等領域。
砷化鎵襯底：Gallium Arsenide，砷和鎵的化合物。。砷化鎵的禁帶寬度大于硅，可以耐受更高電壓；砷化鎵的電子遷移率更是硅的6-7倍，因此高頻性能十分優異。故在制作射頻微波器件方面得到重要應用。
