濺射靶材是薄膜制備的主要原材料。在制造集成電路的過程中需要用到濺射工藝，目前物理氣相沉積（PVD）技術是制備電子薄膜材料主要技術之一。其工作原理如下：利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，從而形成高速度能的離子束流，進而轟擊靶材的表面，離子和靶材表面的原子離開靶材并沉積在基底表面。
濺射靶材種類多樣，下游應用廣泛。從分類上來看，濺射靶材主要按形狀、化學成分、應用領域這三個標準分類。形狀分類中，主要分為長靶、方靶、圓靶。化學成分分類中，主要分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材；應用領域分類中，主要分為半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材等。從應用場景來看，濺射靶材主要應用于半導體芯片、平面顯示器、太陽能電池、信息存儲、工具改性、電子器件等領域。其中半導體芯片對于技術的要求最高，平面顯示器與太陽能電池技術要求次之。
光伏靶材主要用于制備光伏電池片中所需要的薄膜。以 HJT 電池片為例，在 HJT 電池片結構中具有 TCO 薄膜層，該薄膜承擔者透光以及導電的重要作用。應用物理氣相沉積（PVD）技術，使離子和靶材表面的原子離開靶材，在基底上形成透明導電薄膜。以鈣鈦礦電池結構為例，鈣鈦礦電池是由多層薄膜以及玻璃等構成。例如 ITO 薄膜就需要光伏靶材進行制備。
