濕化學品按用途可分為通用化學品（又稱超凈高純試劑）和功能性化學品（以光刻膠配套試劑為代表）。超凈高純試劑一般要求化學試劑中控制顆粒的粒徑在 0.5μm以下，雜質含量低于 ppm 級，是化學試劑中對顆粒控制、雜質含量要求最高的試劑。功能性化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復配類化學品。功能性化學品一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。
超凈高純試劑主要應用于硅晶圓的清洗和蝕刻過程。晶圓清洗試劑用于前端加工關鍵工藝。由于集成電路內各元件及連線相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在集成電路加工之前，必須對晶圓進行清洗，清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質。蝕刻工藝是通過蝕刻液與特定薄膜材料發生化學反應，從而除去光刻膠未覆蓋區域的薄膜，實現圖形轉移，獲得器件的結構。
光刻配套試劑主要應用于晶圓制造的涂膠、顯影和去膠三個階段。顯影液和去膠液的成分是針對不同的光阻材料設計而成的，此過程涉及的濕化學品包括 H2O2、Na2SO3，以及 KOH 和 NaOH 等堿性溶液，針對不同的顯影液和去膠液，其配方成分均不相同。光刻配套試劑會直接影響晶圓光刻圖形化效果。
