IGBT又稱絕緣柵雙極性晶體管，是由BJT（雙極型三極管）與MOSFET（絕緣型場效應管）組成的復合型全控電壓驅動式功率半導體器件，在電路中作為電路開關，通過開關控制改變電壓，擁有柵極G、集電極C、與發射極E，由柵極與發射極之間的電壓決定其導通與關斷。IGBT的用途包括變頻、整流、變壓、放大功率與功率控制等，是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心。
IGBT同時具備MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快和BJT通態電流大、導通壓降低、開關損耗小的優點，適用于中、大功率應用的電力電子器件。當前普遍應用于650-6500V的中高壓領域，主要包括工業控制、白色變頻家電、風電、光伏、新能源汽車等。
在光伏領域，全球光伏逆變器出貨量處于快速增長狀態，在光伏裝機與逆變器替換需求的帶動下預計規模將繼續上升，其中中國光伏逆變器生產企業競爭優勢明顯，2021年中國光伏逆變器企業出貨量在全球占比超60%。IGBT作為光伏逆變器中的重要零部件，具備廣闊的成長空間。2021年中國光伏IGBT規模達24.66億元，預計2026年有望達到42.96億元，2021-2026年CAGR=11.74%。
