功率器件是電子裝置電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電壓和頻率。主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，同時具有節能功效。功率半導體器件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通、軌道交通、工業控制、發電與配電等電力、電子領域，涵蓋低、中、高各個功率層級。
IGBT屬于雙極型、硅基功率半導體，具有耐高壓特性。融合了BJT（Bipolarjunction transistor，雙極型三極管）和MOSFET 的性能優勢 ， 結構為MOSFET+一個BJT，兼具BJT大電流增益和MOS壓控易于驅動的優勢，自落地以來在工業領域逐步替代MOSFET和BJT，目前廣泛應用于650-6500V的中高壓領域，屬于功率器件領域最具發展前景的賽道。
IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻系統。
