刻蝕設備處于半導體產業鏈上游環節。半導體產業鏈的上游由為設計、制造和封測環節提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成。半導體產業鏈的中游可以分為半導體芯片設計環節、制造環節和封裝測試環節。半導體產業鏈的下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
常用來代表刻蝕效率的參數主要有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等。刻蝕速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度；刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側壁形狀，通常分為各向同性和各向異性剖面；刻蝕偏差指的是線寬或關鍵尺寸間距的變化，通常由橫向鉆蝕引起；選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比，高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。
電子回旋加速震蕩（ECR）反應器是最早商用化的高密度等離子體反應器之一，它是 1984 年前后日本日立公司最早研究的，第一次使用是在 20 世紀 80 年代初。它在現代硅片制造中仍然用于 0.25 微米及以下尺寸圖形的刻蝕。ECR 反應器的一個關鍵是磁場平行于反應劑的流動方向，這使自由電子由于磁力作用做螺旋形運動。增加了電子碰撞的可能性，從而產生高密度的等離子體。優點在于能產生高的各向異性刻蝕圖形，缺點是設備復雜度較高。
