化學腐蝕 – 拋光液：首先是介于工件表面和拋光墊之間的拋光液中的氧化劑、催化劑等于工件表面材料進行化學反應，在工件表面產生一層化學反應薄膜；
機械摩擦 – 拋光墊：然后由拋光液中的磨粒和由高分子材料制成的拋光墊通過機械作用將這一層化學反應薄膜去除，使工件表面重新裸露出來，然后再進行化學反應。
CMP包括三道拋光工序，主要運用到的材料包括拋光墊、拋光液、蠟、陶瓷片等。不同工序根據目的的不同，分別需要不同的拋光壓力、拋光液組分、pH 值、拋光墊材質、結構及硬度等。CMP 拋光液和 CMP 拋光墊是 CMP 工藝的核心要素，二者的性質影響著表面拋光質量。
