【行業】第三代半導體SIC爆發式增長明日之星(31頁)

SIC 材料具有明顯的性能優勢。SiC 和 GaN 是第三代半導體材料,與第一二代半導體材料相比,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優勢,所以又叫寬禁帶半導體材料,特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率器件。

全球對第三代半導體均展開全面戰略部署。2014 年初,美國宣布成立“下一代功率電子技術國家制造業創新中心”,期望通過加強第三代半導體技術的研發和產業化,使美國占領下一代功率電子產業這個正出現的規模最大、發展最快的新興市場,并為美國創造出一大批高收入就業崗位。

國內政策支持持續加強。我國的“中國制造 2025”計劃中明確提出要大力發展第三代半導體產業。2015 年 5 月,中國建立第三代半導體材料及應用聯合創新基地,搶占第三代半導體戰略新高地;國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA),對推動我國第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展具有重要意義。

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