半導體存儲是存儲領域的應用領域最廣、市場規模最大的存儲器件：按照停電后數據是否可繼續保存在器件內，半導體存儲器可分為掉電易失和掉電非易失器件；易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）為主；非易失存儲器從早期的不可擦除PROM，到后來的光可擦除EPROM、電可擦除EEPROM，到現在的主流的Flash，技術在不斷的更新、進步。現在RAM領域還出現了鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等非易失靜態存儲器。
EEPROM：低功耗，高擦寫次數存儲首選方案。EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用。在一些所需存儲容量不大，并且需要頻繁更新的場合，EEPROM相比較于Flash，由于其百萬次的擦寫次數和更快速的寫入，成為更佳選擇。近年來，EEPROM除了越來越多的集成到SOC芯片中，也可搭配AMOLED、指紋、觸控、攝像頭、藍牙、無線等芯片形成模組。EEPROM以其通用性，穩定耐用的數據存儲，各種小容量規格，能滿足攝像頭模組、可穿戴設備等對參數存儲的要求。
NOF Flash：芯片內可執行，新興領域應用廣泛。NOF Flash應用領域極其廣泛，幾乎所有需要存儲系統運行數據的電子設備都需要使用NOF Flash。NOF Flash的廣泛應用，主要得益于其可芯片內執行（XIP）的特點。如下圖所示，Flash均使用浮柵場效應管作為基本單元來存儲數據。在控制柵極（Word Line與場效應管連接處）未施加電壓時，源極和漏極之間導通則數據為1，中斷則為0。NOF Flash的連接方式為串聯，讀取數據不需對Word Line進行加壓，直接測量對應的Bit Line和Source Line之間的通斷即可獲取該存儲單元的數據。不僅實現了位讀取，還大大提高了數據讀取的速度。實現位讀取，程序便可在NOF Flash上運行，即所謂的芯片內執行（XIP）。
