受益于工控、家電及新能源應用推動，IGBT 市場持續增長。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT 和MOSFET 組成的復合功率半導體器件，既具備 MOSFET 的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有 BJT 導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產品競爭力，已成為電力電子領域開關器件的主流發展方向。
受益于工業控制及電源行業市場的逐步回暖，以及下游的變頻家電、新能源汽車、新能源發電等領域的迅速發展，IGBT 市場有望持續增長。根據博思數據研究中心的統計，2020 年全球 IGBT 市場規模將達 57.67 億美元，同比增長 6.40%，并且未來市場規模有望保持穩定增長。根據中國產業信息網的數據，2018 年中國 IGBT 市場規模為 161.9億元，同比增長 22.19%，增速顯著高于全球平均水平。
隨著工業控制及電源行業市場的逐步回暖，IGBT 在此領域的市場規模有望逐步擴大。IGBT 是變頻器、逆變焊機等傳統工業控制及電源行業的核心元器件，且已在此領域中得到廣泛應用。我國變頻器行業的市場規模總體呈上升態勢，目前，變頻器在冶金、煤炭、石油化工等工業領域的應用規模將保持穩定增長，同時，在城市化率提升的背景下，變頻器在市政、軌道交通等公共事業領域的需求也會繼續增長。此外，逆變式弧焊電源憑借優異的電源特性在電焊機市場持續滲透，推動逆變式弧焊電源的應用市場規模逐步擴大。隨著變頻器、逆變焊機等傳統工業控制及電源行業的發展，IGBT 的市場規模有望持續增長。
