功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率 IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉化器在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導體這個領域的產品和技術創新，其目標都是為了提高能量轉化效率。
根據 IHS 統計，2019 年全球功率半導體市場規模約為 400 億美元，預計 2019-2025年全球功率半導體 CAGR 4.5%；根據華潤微招股說明書，中國是全球最大的功率半導體消費國，2018 年市場需求規模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例達35.3%。
功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的全控-電壓驅動的功率半導體， IGBT 既有 MOSFET 的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有 BJT 導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，也被譽為“電力電子器件里的 CPU”。
