樂觀看待中美兩國在電子制造業領域存在的差距。當前中美兩國在電子制造業領域差距已經在不斷縮小，目前在半導體領域，我們所需的設備與材料基本都依賴進口，而當年日本 1976 年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似，但是經過多年的發展，1985 年貿易摩擦前的日本半導體企業已經基本實現了核心設備的自制，甚至在部分核心產品上領先于美國同行量產上市。可以看出，同樣在面對美國開打貿易摩擦時日美電子制造業的差距是小于中美之間的差距，值得欣慰的是，中國目前已經出現一批優質半導體公司，如中微公司、瀾起科技、匯頂科技等。此外，日本半導體的舉國體制之路給我們發展半導體制造提供了可復制的案例，我們應該加大舉國體制的力度，力爭用最短的時間實現核心設備與材料的突破。
舉國體制是發展高精尖制造業實現突圍的有效方式。1976 年日本的“DRAM 制法革新”項目下的“VLSI 技術研究所”共耗資 720 億日元，其中政府出資 320 日元，企業界籌集 400 億日元，最后日本得以先于美國研發 64k 集成電路、256k 動態儲存器，完成對美國技術的趕超，奠定了日本在 DRAM 市場的霸主地位。包括韓國在內也采用舉國體制發展半導體，1983 年韓國公布“半導體工業振興計劃”，韓國政府共投入了 3.46 億美元的貸款，并激發了 20 億美元的私人投資，促進了韓國半導體產業的發展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃，且已經開啟了第二期的投資，日本和韓國的例子證明舉國體制是發展高精尖制造業的有效方式，中國的半導體大基金計劃對半導體的發展有實實在在的推動作用。
中國當前電子制造業主要是內需拉動，與日本高貿易依存度的需求結構相比有著更強的抵御貿易摩擦的能力。日本電子制造業對外貿易依存度遠高于中國，日本電子行業對外貿易依存度自 1950 年來一直呈上升態勢，而中國的情況恰恰相反。1985年貿易摩擦前日本電子制造業對外貿易依存度達到 56%，而當前中國電子制造業對外貿易依存度僅為 39.32%，08 年金融危機之后中國電子制造業的出口比重一路下滑，造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升，其中生產總額從 08 年來增幅接近 300%，而出口總額增幅只有 40%，說明中國內需增長旺盛，內需消化的產值遠高于出口。1985 年之前日本之所以出現貿易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠高于總產值增幅，1985 年的出口金額和總產值分別是 1955 年的 1980 和 885 倍。1985年之后日本出口基本維持零增長態勢，但是生產總值在 2000 年達到頂峰后一路下滑，導致貿易依存度被動性提高。
