化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
三大化合物半導體材料中，GaAs 占大頭，主要用于通訊領域，全球市場容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是 PA 升級驅動；GaN 大功率、高頻性能更出色，主要應用于軍事領域，目前市場容量不到 10 億美元，隨著成本下降有望迎來廣泛應用；SiC 主要作為高功率半導體材料應用于汽車以及工業電力電子，在大功率轉換應用中具有巨大的優勢。
同時應用市場決定無需 60 nm 線寬以下先進制程工藝，不追求最先進制程工藝是另外一個特點。化合物半導體面向射頻、高電壓大功率、光電子等領域，無需先進工藝。GaAs和 GaN 器件以 0.13、0.18μm 以上工藝為主。Qorvo 正在進行 90nm 工藝研發。此外由于受 GaAs 和 SiC 襯底尺寸限制，目前生產線基本全為 4 英寸和 6 英寸。以 Qorvo 為例，我們統計下來氮化鎵制程基本線寬在 0.25-0.50um，生產線以 4 英寸為主。
