按導電性能，InP襯底主要分為半導電和半絕緣襯底。半導電襯底又分為N型和P型半導電襯底， N型襯底通常選用Sn和In2S3作為摻雜劑，P型襯底則選用ZnP2作為摻雜劑。各種摻雜劑的使用，目的是為器件制造提供不同導電類型的襯底。其中，N型摻Sn的InP主要用于激光二極管，N型摻S的InP用于激光二極管和光探測器，P型摻Zn的InP主要用于高功率激光二極管。
磷化銦單晶的生長過程實際上是一種相變的過程，先升溫加熱，將多晶變成熔體，由固相轉變為液相，然后降溫，將熔體結晶為固體晶體，由液相轉變為固相。當多晶原料熔化后，偏離化學配比較多時容易在晶體內部形成夾雜物、沉淀、孿晶和位錯等缺陷，這些缺陷可能嚴重損害晶體質量和晶體的物理特性。因此，控制化合物半導體多晶料或者熔體的配比度是制備晶體材料的首要任務，也是制備高離解壓化合物半導體的難點。
為了降低成本，磷化銦單晶的總體發展趨勢是向大尺寸、低位錯、工業化大規模生產發展。目前，磷化銦單晶襯底的主流尺寸是2-4英寸，最大商用尺寸是6英寸。根據北京通美招股書，Sumitomo和北京通美分別使用VB和VGF技術可以生長出直徑6英寸的磷化銦單晶，日本JX使用LEC技術可以生長出直徑4英寸的磷化銦單晶。
