半導體行業在科創板注冊制下充分受益。根據 Wind 數據，自 2019 年 6 月科創板開板至2022 年 7 月 26 日，A 股上市半導體公司總數量增加 2.1 倍到 105 家，總市值上升到 2.7萬億元。公募基金半導體持倉占比從 2Q19 的 1.2%上升到 2Q22 末的 5.1%，半導體成為中國股票投資中的重要行業之一。
2019 年至今半導體板塊市值占比增加明顯，行業地位在 A 股市場重要性顯著提高。根據我們統計，自 2019 年初以來，得益于半導體國產化及科創板落地，A/H 科技股半導體子板塊市值增加了 2.52 萬億元（包含個股股價上漲，及新上市公司加入的貢獻），達到 2.82萬億元，較 19 年初增長了 631%，相比之下 A/H 科技股手機產業鏈子板塊市值增加了48%，通信及安防設備子板塊市值僅增加了 40%。從市值占比來看，半導體板塊從 2021年初的 15%增加到 2022 年 7 月 26 日的 45%，在 A 股市場重要性顯著提高。
第三代半導體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，主要應用于高壓、高溫、高頻場景。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢。因此相較于傳統硅基器件，采用第三代半導體材料制備的半導體器件不僅體積小重量輕，同時還具備更高的功率輸出密度、更高的能量轉換效率，可以顯著提升系統裝置的性能。其中，碳化硅器件具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢，可以滿足高溫、高壓、大功率等條件下的應用需求，廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。氮化鎵器件具備高開關頻率、耐高溫、低損耗等優勢，可用于制作功率、射頻、光電器件，廣泛應用于消費電子、新能源車、國防、通信等領域。
