PVD 和 CVD 是主要的薄膜設備，ALD 是產業技術發展趨勢。在半導體領域，薄膜主要分給絕緣薄膜、金屬薄膜。大部分絕緣薄膜使用 CVD，金屬薄膜常用 PVD（主要是濺射）。其他常用的鍍膜方式包括 ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy 等。在薄膜設備整體中，CVD的使用越來越廣泛，基于 CVD 發展的 ALD 更是行業升級的技術方向。
CVD：用于沉積介質絕緣層、半導體材料、金屬薄膜。典型的 CVD 流程包括氣體輸入、氣體對流、氣象擴散、表面吸附、表面反應、表面脫附及薄膜成核生長。（1）微米時代，化學氣相沉積多采用常壓化學氣相沉積（APCVD）設備，結構簡單。（2）亞微米時代，低壓化學氣相沉積（LPCVD）成為主流，提升薄膜均勻性、溝槽覆蓋填充能力。（3）90nm 以后，等離子增強化學氣相沉積（PECVD）扮演重要角色，等離子體作用下，降低反應溫度，提升薄膜純度，加強薄膜密度。（4）45nm 以后，高介電材料（High k）和金屬柵（Metal Gate），引入原子層沉積（ALD）設備，膜層達到納米級別。——（a）高介電材料（High k）替代 SiO2，用于制備 MOS器件的柵介質層，需要引入 ALD。（b）多晶硅同步地被替代為金屬柵（Matal Gate）電極，也用 ALD 設備制備。
物理氣相沉積（PVD）：利用蒸發或濺射，實現原子從源物質到沉底材料表面的物質轉移，沉積形成薄膜。物理氣相沉積是一種物理氣相反應生長法，沉積過程是在真空或低壓氣體放電條件下，涂層物質源是固態物質，經過“蒸發或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固態物質涂層。PVD 具有成膜速率高、鍍膜厚度及均勻性可控好、薄膜致密性好、粘結力強及純凈度高等優點。
