從 2014 年開始，中國大陸的二極管及相關產品就出口量超過進口量；目前中國大陸功率半導體器件領頭羊揚杰科技的功率二極管全球市占率已經達到 2.01％。受到中美貿易戰影響，中國電子產品的出口大幅下降，自 2017 年年底以來，中國功率二極管的出口數量已經回落到與進口數量大致相當。但金額自 2018 年以來有所增長。根據數據顯示，截止到 2019 年 4 月，我國二極管出口量為 172,465 百萬個，同比下降 4.8%；出口金額為 10,078.32 百萬美元，同比增長 17.6%。
IGBT 市場現狀及發展前景。IGBT 是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，從上世紀 80 年代至今經歷了六代技術演變，現具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”。從 20 世紀 80 年代至今，IGBT 芯片經歷了 6 代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從 600V 提高到 6,500V 以上。
自主可控是大勢所趨。中國大陸是世界上產業鏈最齊全的經濟活躍區，在功率半導體領域已經活躍著一群本土制造商，目前已基本完成了產業鏈的布局，且正處于快速發展當中。雖然短期內仍與國際龍頭存在比較大的技術差距，但已在中低端領域實現了部分國產替代。十九大報告指出，到 2020 年我國國防和軍隊信息化建設要取得重大進展，軍用半導體的地位將越來越突出。當前軍用半導體已成為制約我國航空航天、新型軍工武器裝備和軍隊電子設施發展的瓶頸，各軍兵種加大了針對進口替代元器件政策方案的落實力度，各整機廠所針對新裝備中電子元器件的國產化率有了強制要求。
