隨著晶圓制造工藝接近物理極限，摩爾定律正逐漸放緩。在過去，主流芯片集成度與成本變化曲線基本遵循了摩爾定律的指引，即每兩年集成度提高一倍，同樣集成度產品價格下降一半。但隨著晶圓制造工藝接近物理極限，單靠微縮晶體管工藝尺寸，已經難以滿足芯片集成度和系統規模兩年翻一倍的目標，同時由于先進工藝芯片產線投資及開發成本上升劇烈，晶體管工藝尺寸微縮帶來的電子產品成本下降的紅利也開始削弱。在如今 5G、云計算、智能汽車、物聯網等技術快速發展的背景下，對芯片算力、效率的要求快速提升，而摩爾定律放緩無疑將影響到電子信息產業發展速度。
在摩爾定律的基礎上，SysMoore 注重從更多維度提升電子系統性能和功能復雜度。在 ICCAD2021 上，Synopsys 總裁兼首席運營官 Sassine Ghazi 介紹了公司對 SysMoore 概念的理解。過去為了延續摩爾定律，產業界提出了諸如超越摩爾定律（More than Moore）或芯粒（Chiplet）等概念和方法，這些方法和概念是不夠的。盡管單靠工藝和架構等少數幾個維度去滿足電子產品升級換代對 PPA 的要求是困難的，SysMoore 更多地關注系統層面的各個環節，雖然硅晶圓、晶體管、芯片、系統硬件和軟件每一個環節本身在限定開發時間內的 PPA 提升幅度有限，但不同環節銜接處的 PPA 提升空間巨大，將不同環節的技術紅利與環節銜接處的技術紅利組合起來，可以打破當前摩爾定律遇到的瓶頸，使電子系統性能和功能復雜度增長曲線重回指數型增長軌跡。
SysMoore 不是對傳統摩爾定律的顛覆，而是在其基礎上引入更多方法使其持續演進。基于集成度去考核晶體管規模體量的摩爾定律是 SysMoore 的基礎，仍是電子系統開發工作的重點和起點。但在 SysMoore 時代，系統能耗指標變得更重要，開發者需要在系統層面關注更多環節，以利用傳統的方法之外的更多方式來提高能效比，其中包括芯粒、2.5D/3D 及異構封裝、DTCO、AI、云計算等多項技術和方法的運用。
