先進工藝的主要發展動力是手機、電腦等設備對高性能和低功耗無止境的追求，因此半導體技術只有不斷的縮小器件特征尺寸來滿足這些需求。然而，線寬的縮小需要高精度的裝備、高強度和高難度的工藝研發。這“三高”讓越來越多的綜合型芯片公司開始停止追逐先進工藝，所以能夠繼續跟隨摩爾定律往下走的芯片制造企業會越來越少。另外，數字芯片設計方法的進化也是先進工藝芯片代工模式持續發展的動力，包括IP的復用和軟件工程的形態。
特色工藝產品是利用半導體材料的物理特性制造出的各種半導體器件，這類工藝比拼的不是工藝線寬，而是各種器件的構造。特色工藝的半導體產品（高壓電路、MEMS傳感器、射頻電路和器件）的研發是一項綜合性的活動，涉及到工藝研發與產品研發的多個環節，設計制造一體（IDMIntegrated Device Manufacturing）的模式，更有利于該類技術的深度研發和優勢產品群的形成。
IGBT是指絕緣柵雙極型晶體管芯片，是目前大功率開關元器件中最為成熟，也是應用最為廣泛的功率器件，兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點，驅動功率小而飽和壓降低，是能源變換與傳輸的核心器件，被稱為“電子電力裝置的 CPU”，發展潛力很大。
