功率半導體目前主要可以分為功率 IC和功率器件兩大類。功率器件按照外界條件控制器件的開通和關斷的分類標準可分為：不可控型、半控型和全控型功率器件。其中，二極管單向導通，可以實現整流，屬于不可控型；晶閘管只能觸發導通，不能觸發關斷，屬于半控型；晶體管包括 IGBT 和 MOSFET 等，可以觸發導通，也可以觸發關斷，屬于全控型器件。功率 IC 指功率類集成電路設計，屬于模擬 IC 的一種，主要分為 AC/DC、DC/DC、電源管理 IC 和驅動 IC 等。
功率器件主要為二極管、三極管、晶閘管、MOSFET和 IGBT等，市場主要被國外廠商壟斷。二極管是基礎性器件，主要用作整流，雖然原理成熟，但受產品穩定性及客戶認證壁壘影響，國產化率仍然較低；三極管主要適用于消費電子等產品，用于開關或功率放大，國外廠商仍占據市場份額的前列，國內廠商在附加值較低的部分已完成了國產替代；晶閘管主要用于工業領域，屬于電流控制型開關器件，市場整體規模較小。MOSFET 和IGBT 是最主要的功率器件，其中MOSFET 適用于消費電子、網絡通信、工業控制、汽車電子等，相較于前三者，適用頻率高，但一般用于功率不超過 10kw 的電力電子裝置，在中低壓領域，國內廠商正逐步展開國產替代；IGBT 可用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子等高壓高頻領域，高壓下，開關速度高，電流大，但開關速度低于 MOSFET，前五大企業的市場份額超過 70%，國內企業與國外企業技術水平存在一定差距。
SiC與 GaN由于其性能的優越性，可以適用于更廣泛的范圍。SiC與GaN 在 5G、電動汽車、光伏等各個領域均表現出更加優異的性能。其中，特斯拉已經將電動汽車 model3 中的 IGBT 器件替換為多個 SiCMOSFET 模塊，取得了更優的性能。
