新能源汽車等帶動第三代半導體在大功率電力電子器件起量。快充裝置、輸變電系統、軌道交通、電動汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件。無疑寬禁帶半導體，尤其是碳化硅、氮化鎵具有比其他半導體材料更為明顯的優勢。
AIoT 時代驅動的光電器件大發展。在 AIoT 時代，智慧化產品滲透率更加迅速提升，智能家居照明市場將迎來機遇。第三代半導體尤其在短波長光電器件方面有很明顯的優勢。例如藍光，現在所有的半導體照明已經采用了氮化鎵。在紫光、紫外光甚至在黃光、綠光等方面都可以直接用氮化物半導體作為材料。
5G 時代驅動 GaN 射頻器件快速發展。相比于砷化鎵和硅等半導體材料，在微波毫米波段的第三代半導體器件工作效率和輸出功率明顯高，適合做射頻功率器件。民用射頻器件主要用在移動通信方面，包括現在的 4G、5G 和未來的 6G 通信。例如，國內新裝的 4G 和 5G 移動通信的基站幾乎全用氮化鎵器件。尤其是 5G 基站采用 MIMO 收發體制，每個基站 64 路收發，耗電量是 4G 基站的 3 倍以上，而且基站的密集度還要高于 4G基站，不用高效率的氮化鎵器件幾乎是不可能的。未來 6G 通信頻率更高、基站數更多，GaN 將更加突出。
