光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
在半導體集成電路制造行業；主要使用 g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF 光刻膠、ArF 光刻膠等。在大規模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到硅片上。
光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關 鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的 35%，并且耗費 時間約占整個芯片工藝的 40%-50%。光刻膠材料約占 IC制造材料總 成本的 4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。
