三大化合物半導體材料中，GaAs 占大頭，主要用于通訊領域，全球市場容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是 PA 升級驅動；GaN 大功率、高頻性能更出色，主要應用于軍事領域，目前市場容量不到 10 億美元，隨著成本下降有望迎來廣泛應用；SiC 主要作為高功率半導體材料應用于汽車以及工業電力電子，在大功率轉換應用中具有巨大的優勢。
摩爾定律放緩，集成電路發展分化。現在集成電路的發展主要有兩個反向：More Moore（深度摩爾）和 More than Moore （超越摩爾）。摩爾定律是指集成電路大概 18 個月的時間里，在同樣的面積上，晶體管數量會增加一倍，但是價格下降一半。但是在 28nm時遇到了阻礙，其晶體管數量雖然增加一倍，但是價格沒有下降一半。More Moore （深度摩爾）是指繼續提升制程節點技術，進入后摩爾時期。與此同時，More than Moore （超越摩爾）被人們提出，此方案以實現更多應用為導向，專注于在單片 IC 上加入越來越多的功能。
模擬 IC 更適合在 More than Moore （超越摩爾）道路。先進制程與高集成度可以使數字 IC 具有更好的性能和更低的成本，但是這不適用于模擬 IC。射頻電路等模擬電路往往需要使用大尺寸電感，先進制程的集成度影響并不大，同時還會使得成本升高；先進制程往往用于低功耗環境，但是射頻、電源等模擬 IC 會用于高頻、高功耗領域，先進制程對性能甚至有負面影響；低電源和電壓下模擬電路的線性度也難以保證。PA 主要技術是 GaAs，而開關主要技術是 SOI，More than Moore （超越摩爾）可以實現使用不同技術和工藝的組合，為模擬 IC 的進一步發展提供了道路。
